hvad er magt halvleder

På nuværende tidspunkt leveres verdens strømhalvlederenheder hovedsageligt af tre lande og regioner: Europa, USA og Japan. De besætter omkring 70% af den globale markedsandel i kraft af avanceret teknologi, fremstillingsproces og førende kvalitetsstyringssystem.

På efterspørgselssiden forbruges omkring 39% af verdens produktionskapacitet for halvlederenheder af det kinesiske fastland, som er verdens største efterspørgselskraftland, men dets selvforsyningsgrad er kun 10%, og den er stærkt afhængig af import.

Effekthalvledere kan opdeles i tre kategorier, den ene er strømintegrerede kredsløb, det vil sige IC-type strømenheder; den anden er strømmoduler, og den tredje er strømdiskrete enheder. Strøm diskrete enheder dioder, transistorer, MOSFET'er, IGBT'er osv.

Power semiconductor applikationsscenarier omfatter industriel applikationsmarked, bilapplikationsmarked, forbrugerelektronikapplikation og trådløs kommunikationsapplikation. Blandt dem tegner markedet for industriel anvendelse sig for den største andel.

Tre generationer af halvledermaterialer vil eksistere side om side i lang tid. Den første generation af halvledere: repræsenteret ved elementære halvledere som silicium (Si) og germanium (Ge); anden generation af halvledere: repræsenteret ved sammensatte halvledere såsom gallium arsenid (GaAs) og indiumfosphid (lnP); den tredje generation af halvledere : Repræsenteret af bredbåndsgap halvledere såsom galliumnitrid (GaN) og siliciumcarbid (SiC). Tredjegenerations halvledermaterialer har karakteristika som høj lyseffektivitet, høj effekt, høj spænding og høj frekvens.

Inden for medium og lille strøm (spænding under 900V) er effekt MOSFETs og super-node MOSFETs de mest udbredte. Inden for medium og høj effekt (spænding 1200V-6500V) er IGBT det almindelige produkt, som også er den almindelige strømforsyning, der er egnet til biler. Inden for ultrahøj effekt (spænding over 3,3 kV, kapacitet 1-45 MW) er markedet for tyristorer og integrerede portkommuterede tyristorer (IGCT'er) bredt.

I de senere år har det globale marked for krafthalvledere været stabilt på niveauet 15 milliarder til 20 milliarder amerikanske dollars, der tegner sig for omkring 5% af det globale halvledermarked. Langt størstedelen af markedet er monopoliseret af udenlandske producenter, herunder Infineon, TI, NXP, Renesas osv. Der er stadig meget plads til kinesiske produkter at erstatte, og de ti største producenter tegner sig for 57% af markedsandelen. Sammenlignet med den integrerede kredsløbsindustri er markedskoncentrationen af diskrete enheder lavere, og de kommercielle økologiske barrierer er ikke høje.

På markedet for krafthalvledere er det største selskab infineon med 19%; i henhold til produkttyper er de vigtigste produkter mosfet og IGBT. For andre produkter, BJT'er, tyristorer og dioder, er markedet meget fragmenteret og lavt i værdi. Ifølge IHS tegnede MOSFET'er sig for 55% af det samlede transistormarked i 2016, efterfulgt af IGBT'er og BJT'er med 30% og 15% aktier.

Fra perspektivet af de vigtigste IGBT- og MOSFET-markeder rangerer Infineon først i verden med hensyn til markedsandel. Andre virksomheder, herunder Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Renesas og ST, har også store markedsandele. I modsætning til det meget fragmenterede diodemarked og transistormarkedet har IGBT- og MOSFET-markederne større markedskoncentration på grund af deres højere tekniske hindringer.

Kinas indenlandske IGBT marked tegner sig for omkring 50% af den samlede globale efterspørgsel. Den nuværende indenlandske markedsandel er imidlertid hovedsageligt monopoliseret af internationale giganter, og lokaliseringsgraden er kun 11%. Jiaxing Star er et førende indenlandsk IGBT-firma, og dets produkter har også bilkvaliteter. På nuværende tidspunkt er markedsandelen for førende krafthalvledervirksomheder på det kinesiske fastland, repræsenteret ved Yangjie Technology, Huawei Electronics, Silan Microelectronics og Jiejie Microelectronics, meget lav, og der er stort plads til importsubstitution. De indenlandske professionelle bilhalvlederproducenter med en vis markedsposition, BYD og Jiangsu Hongwei er relativt fremtrædende. Spørgsmål og svar Session Spørgsmål 1: Hvad synes du om fastlandsselskabets indtræden i power semiconductor-feltet gennem købet af Anshi? Vil det være i stand til at indhente førende virksomheder som Infineon i fremtiden?

A: Fastlandsvirksomheder kommer til at erhverve nogle modne udenlandske virksomheder, hvoraf mange er aktiver af høj kvalitet. Fra et personligt synspunkt er det positivt, og det kan faktisk hjælpe vores fastlandsvirksomheder med at fremskynde deres adgang til dette område.

Vil Nexperia være i stand til at indhente Infineon i fremtiden? Den første er ikke et firma af samme størrelse. For det andet, på de områder, som Nexperia kan involvere, tilhører nogle produkter den første echelon.

Spørgsmål 2: Der er mange offentlige halvlederproducenter på det kinesiske fastland. Hvilken type virksomhed er mere tilbøjelig til at vinde?

A: Om teknologien er førende, om pris/ydelsesforholdet er højt nok, derefter service, forsyningsstabilitet, produktdiversitet, fremtidigt produkt- og markedslayout osv. Disse egenskaber vil bestemme virksomhedernes konkurrenceevne, så dette er et spørgsmål, der skal overvejes omfattende.

Spørgsmål 3: Hvad er de tekniske indikatorer for vurdering af kraftudstyr?

A: Kort sagt, de vigtigste retninger er: spændingsniveau, arbejdsfrekvens, arbejdskraft, etc.